Магнетосопротивление - definition. What is Магнетосопротивление
Diclib.com
قاموس على الإنترنت

%ما هو (من)٪ 1 - تعريف

Магниторезистивный эффект; Магниторезистор; Магнетосопротивление
  • тока]].
  • тока]], которые в середине образца практически параллельны боковым сторонам (сравните с Рис. 1.).

Магнетосопротивление         

магниторезистивный эффект, изменение электрического сопротивления твёрдого проводника под действием внешнего магнитного поля. Различают поперечное М., при котором электрический ток течёт перпендикулярно магнитному полю, и продольное М. (ток параллелен магнитному полю). Причина М. - искривление траекторий носителей тока в магнитном поле. У полупроводников (См. Полупроводники) относительное изменение сопротивления Δρ/ρ в 100 - 10 000 раз больше, чем у металлов (См. Металлы), и может достигать сотен \%. М. относится к группе гальваномагнитных явлений (См. Гальваномагнитные явления). М. используется для исследования электронного энергетического спектра и механизма рассеяния носителей тока кристаллической решёткой, а также для измерения магнитных полей.

Лит.: Лифшиц И. М., Азбель М. Я., Каганов М. И., Электронная теория металлов, М., 1971; Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Ансельм А. И., Введение в теорию полупроводников, М. - Л., 1962.

Э. М. Эпштейн.

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ         
(магниторезистный эффект) , изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках - на единицы % (в поле напряженностью Н МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ10 кЭ, т. е. МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ106 А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.
Магнитосопротивление         
Магнитосопротивление (магниторезистивный эффект) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнитосопротивлением. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное со

ويكيبيديا

Магнитосопротивление

Магнитосопротивление (магниторезистивный эффект) — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном. В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля. Все вещества в той или иной мере обладают магнитосопротивлением. Для сверхпроводников, способных без сопротивления проводить электрический ток, существует критическое магнитное поле, которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное состояние, в котором наблюдается сопротивление. В нормальных металлах эффект магнитосопротивления выражен слабее. В полупроводниках относительное изменение сопротивления может быть в 100—10 000 раз больше, чем в металлах.

Магнитосопротивление вещества зависит и от ориентации образца относительно магнитного поля. Это связано с тем, что магнитное поле не изменяет проекцию скорости частиц на направление магнитного поля, но благодаря силе Лоренца закручивает траектории в плоскости, перпендикулярной магнитному полю. Это объясняет, почему поперечное поле оказывает более сильное влияние на сопротивление, чем продольное. Здесь[где?] речь пойдёт в основном о поперечном магнитосопротивлении двумерных систем, когда магнитное поле ориентировано перпендикулярно к плоскости движения частиц.

На основе магниторезистивного эффекта создают датчики магнитного поля.

أمثلة من مجموعة نصية لـ٪ 1
1. Увы, обычное магнетосопротивление очень слабое, рассчитывать на особо высокую плотность записи при его использовании не приходилось.
2. В 1'88 году, работая независимо друг от друга, ученые открыли эффект, названный "гигантское магнетосопротивление" (Giant Magnetoresistance - GMR). Впоследствии они объединили свои усилия, чтобы на основе этого эффекта разработать новую технологию.